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集成电路布图设计专有权公告(2018年12月14日)
发布时间:2018-12-14
布图设计登记号:BS.185550509
布图设计申请日:2018年3月19日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17702
布图设计名称:AES加密芯片电路
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:福州大学
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:福建省福州市闽侯县大学新区学园路2号
布图设计创作人:王仁平、刘东明、李凡阳
代理机构:福州元创专利商标代理有限公司
代理人:蔡学俊
布图设计创作完成日:2017年4月9日

布图设计登记号:BS.185550517
布图设计申请日:2018年3月19日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17703
布图设计名称:SYSU_WPT1602
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:中山大学
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省广州市海珠区新港西路135号
布图设计创作人:郭建平、胡东洋、苏奎任
代理机构:中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙)
代理人:邹常友
布图设计创作完成日:2018年2月5日

布图设计登记号:BS.185001831
布图设计申请日:2018年3月12日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17704
布图设计名称:宽输入电压极低静态电流LDO芯片
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:苏州赛芯电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园3期11B0
布图设计创作人:谭健、崔国庆
布图设计创作完成日:2017年6月8日

布图设计登记号:BS.185001912
布图设计申请日:2018年3月12日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17705
布图设计名称:AX10
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:其他
    功能:线性
布图设计权利人:南京派爱电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市栖霞区甘家边东108号(金港科创中心)2号楼406室
布图设计创作人:徐杨
布图设计创作完成日:2017年10月10日
布图设计首次商业利用日:2018年1月20日

布图设计登记号:BS.185001920
布图设计申请日:2018年3月12日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17706
布图设计名称:VT4224
布图设计类别:
    结构:Bipolar
    技术:其他
    功能:线性
布图设计权利人:南京派爱电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市栖霞区甘家边东108号(金港科创中心)2号楼406室
布图设计创作人:徐杨
布图设计创作完成日:2017年9月18日
布图设计首次商业利用日:2018年2月2日

布图设计登记号:BS.185001939
布图设计申请日:2018年3月12日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17707
布图设计名称:AX63
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:其他
    功能:线性
布图设计权利人:南京派爱电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市栖霞区甘家边东108号(金港科创中心)2号楼406室
布图设计创作人:徐杨
布图设计创作完成日:2017年9月30日
布图设计首次商业利用日:2018年1月25日

布图设计登记号:BS.185002684
布图设计申请日:2018年4月3日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17708
布图设计名称:HMC863ALC4
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍:美国
布图设计权利人地址:马萨诸塞州
布图设计创作人:美国亚德诺半导体公司
代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人:高文静
布图设计创作完成日:2017年8月30日
布图设计首次商业利用日:2017年9月7日

布图设计登记号:BS.185002706
布图设计申请日:2018年4月3日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17709
布图设计名称:ADPD2119(PD inADPD188GG modules)
布图设计类别:
    结构:Optical-IC
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍:美国
布图设计权利人地址:马萨诸塞州
布图设计创作人:美国亚德诺半导体公司
代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人:高文静
布图设计创作完成日:2017年7月21日
布图设计首次商业利用日:2017年8月25日

布图设计登记号:BS.185002714
布图设计申请日:2018年4月3日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17710
布图设计名称:ADMV1010
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍:美国
布图设计权利人地址:马萨诸塞州
布图设计创作人:美国亚德诺半导体公司
代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人:高文静
布图设计创作完成日:2016年10月21日
布图设计首次商业利用日:2017年1月26日

布图设计登记号:BS.185547214
布图设计申请日:2018年1月29日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17711
布图设计名称:高增益功率放大器
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:广州穗源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城瑞和路39号D座526房098号
布图设计创作人:陈哲,林甲富,林俊明,刘祖华,章国豪
布图设计创作完成日:2017年8月15日

布图设计登记号:BS.185549810
布图设计申请日:2018年3月8日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17712
布图设计名称:功率放大器
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:广州穗源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城瑞和路39号D座526房098号
布图设计权利人:广东工业大学
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
布图设计创作人:陈续威,林甲富,刘祖华,章国豪
布图设计创作完成日:2017年11月25日

布图设计登记号:BS.185549829
布图设计申请日:2018年3月8日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17713
布图设计名称:三级功率放大器
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:广州穗源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城瑞和路39号D座526房098号
布图设计权利人:广东工业大学
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
布图设计创作人:陈续威、林甲富、刘祖华、章国豪
布图设计创作完成日:2017年11月25日

布图设计登记号:BS.185549845
布图设计申请日:2018年3月8日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17714
布图设计名称:24GHz上混频器
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:广州穗源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城瑞和路39号D座526房098号
布图设计权利人:广东工业大学
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
布图设计创作人:周正轩、李罡、林甲富、刘祖华、章国豪
布图设计创作完成日:2017年5月18日

布图设计登记号:BS.185549861
布图设计申请日:2018年3月8日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17715
布图设计名称:一种功率放大器
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:广州穗源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城瑞和路39号D座526房098号
布图设计权利人:广东工业大学
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
布图设计创作人:陈续威、林甲富、刘祖华、章国豪
布图设计创作完成日:2017年11月25日

布图设计登记号:BS.18554987X
布图设计申请日:2018年3月8日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17716
布图设计名称:GaAs功率放大器
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:广州穗源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省广州市高新技术产业开发区科学城瑞和路39号D座526房098号
布图设计权利人:广东工业大学
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
布图设计创作人:陈续威、林甲富、刘祖华、章国豪
布图设计创作完成日:2017年11月25日

布图设计登记号:BS.185549888
布图设计申请日:2018年3月8日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17717
布图设计名称:一种压控振荡器
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:广州穗源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城瑞和路39号D座526房098号
布图设计权利人:广东工业大学
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
布图设计创作人:陈续威、林甲富、刘祖华、章国豪
布图设计创作完成日:2017年8月25日

布图设计登记号:BS.185549896
布图设计申请日:2018年3月8日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17718
布图设计名称:高增益功率放大器
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:广州穗源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省广州市高新技术产业开发区科学城瑞和路39号D座526房098号
布图设计权利人:广东工业大学
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
布图设计创作人: 陈哲、林甲富、刘祖华、章国豪
布图设计创作完成日:2017年8月15日

布图设计登记号:BS.18554990X
布图设计申请日:2018年3月8日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17719
布图设计名称:分布式放大器
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:广州穗源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城瑞和路39号D座526房098号
布图设计权利人:广东工业大学
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
布图设计创作人:刘雁鹏、刘祖华 、章国豪
布图设计创作完成日:2017年8月15日

布图设计登记号:BS.185550541
布图设计申请日:2018年3月20日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17720
布图设计名称:一种三相高压栅驱动集成电路
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:无锡安趋电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省无锡市新吴区清源路18号A区 503
布图设计创作人:张允武、王玉竹、胡孔生
代理机构:北京德崇智捷知识产权代理有限公司
代理人:王斌
布图设计创作完成日:2017年1月8日

布图设计登记号:BS.185550681
布图设计申请日:2018年3月21日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17721
布图设计名称:多路扬声器寿命测试仪电流变频放大电路版图
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:常州英讯电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省常州市新北区汉江路120号
布图设计创作人:殷玉飞
布图设计创作完成日:2017年8月1日

布图设计登记号:BS.185550703
布图设计申请日:2018年3月21日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17722
布图设计名称:英讯多路扬声器可靠性测试仪扫频信号芯片版图
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:常州英讯电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省常州市新北区汉江路120号
布图设计创作人:殷玉飞
布图设计创作完成日:2018年1月5日

布图设计登记号:BS.185551548
布图设计申请日:2018年3月29日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17723
布图设计名称:PA05AA
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS-NMOS-PMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海源微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号C楼
布图设计创作人:张义、李应天
代理机构:上海精晟知识产权代理有限公司
代理人:冯子玲
布图设计创作完成日:2018年1月31日

布图设计登记号:BS.175539030
布图设计申请日:2017年11月30日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17724
布图设计名称:碳化硅器件
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:泰科天润半导体科技(北京)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A
布图设计创作人:张瑜洁
代理机构:福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)
代理人:王美花
布图设计创作完成日:2015年9月28日

布图设计登记号:BS.185001998
布图设计申请日:2018年3月9日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17725
布图设计名称:低功耗半桥驱动芯片BD1800AA
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:深圳市巴丁微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市宝安区新安街道群辉路1号优创空间1号楼208-209
布图设计创作人:赵春波
布图设计创作完成日:2017年12月16日

布图设计登记号:BS.185002390
布图设计申请日:2018年3月23日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17726
布图设计名称:KC301频率自适应时钟芯片
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:康佳集团股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市南山区粤海街道科技园科技南十二路28号康佳研发大厦15-24层
布图设计创作人:康佳集团股份有限公司
代理机构:深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)
代理人:姜书新
布图设计创作完成日:2016年7月20日

布图设计登记号:BS.185002722
布图设计申请日:2018年3月30日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17727
布图设计名称:SSD3294
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:晶门科技(中国)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市高新区星火路17号创智大厦B座21楼
布图设计创作人:汤惠芳
代理机构:深圳中一专利商标事务所
代理人:官建红
布图设计创作完成日:2015年12月4日

布图设计登记号:BS.185002749
布图设计申请日:2018年3月30日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17728
布图设计名称:SSD3222
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:晶门科技(中国)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市高新区星火路17号创智大厦B座21楼
布图设计创作人:黄美华
代理机构:深圳中一专利商标事务所
代理人:官建红
布图设计创作完成日:2017年5月24日
布图设计首次商业利用日:2017年12月1日

布图设计登记号:BS.185002765
布图设计申请日:2018年3月30日
公告日期:2018年12月14日
公告号:17729
布图设计名称:SSD3293
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:晶门科技(中国)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市高新区星火路17号创智大厦B座21楼
布图设计创作人:汤惠芳
代理机构:深圳中一专利商标事务所
代理人:官建红
布图设计创作完成日:2016年7月2日